Arseniuro de indio InAs

Descripción

El cristal de InAs de arseniuro de indio es un semiconductor compuesto del grupo III-V sintetizado por al menos 6N 7N elemento de arsénico e indio puro y cristal único cultivado por VGF o proceso Czochralski encapsulado líquido (LEC), apariencia de color gris, cristales cúbicos con estructura de zinc-blenda , punto de fusión de 942 °C.La brecha de banda de arseniuro de indio es una transición directa idéntica al arseniuro de galio, y el ancho de banda prohibido es 0.45eV (300K).El cristal InAs tiene una alta uniformidad de parámetros eléctricos, red constante, alta movilidad de electrones y baja densidad de defectos.Un cristal cilíndrico de InAs cultivado por VGF o LEC se puede rebanar y fabricar en forma de oblea cortada, grabada, pulida o epi-preparada para el crecimiento epitaxial de MBE o MOCVD.

Aplicaciones

La oblea de cristal de arseniuro de indio es un excelente sustrato para la fabricación de dispositivos Hall y sensores de campo magnético por su suprema movilidad de sala pero banda prohibida de energía estrecha, un material ideal para la construcción de detectores infrarrojos con un rango de longitud de onda de 1–3,8 µm utilizados en aplicaciones de mayor potencia a temperatura ambiente, así como láseres de superred de infrarrojos de longitud de onda media, fabricación de dispositivos LED de infrarrojo medio para su rango de longitud de onda de 2-14 μm.Además, InAs es un sustrato ideal para soportar aún más la estructura de superretícula heterogénea de InGaAs, InAsSb, InAsPSb e InNAsSb o AlGaSb, etc.

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Especificación técnica

Arseniuro de indio

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Oblea de cristal de arseniuro de indioes un excelente sustrato para fabricar dispositivos Hall y sensores de campo magnético por su excelente movilidad de pasillo pero banda prohibida de energía estrecha, un material ideal para la construcción de detectores infrarrojos con un rango de longitud de onda de 1 a 3,8 µm utilizados en aplicaciones de mayor potencia a temperatura ambiente, así como láseres de súper celosía infrarrojos de longitud de onda media, fabricación de dispositivos LED infrarrojos medios para su rango de longitud de onda de 2-14 μm.Además, InAs es un sustrato ideal para soportar aún más la estructura heterogénea de InGaAs, InAsSb, InAsPSb e InNAsSb o AlGaSb, etc.

No.	Elementos	Especificacion estandar
1	Tamaño	2"	3"	4"
2	Diámetro mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0.5
3	Método de crecimiento	LEC	LEC	LEC
4	Conductividad	Tipo P/dopado con Zn, tipo N/dopado con S, sin dopar
5	Orientación	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Espesor micras	500±25	600±25	800±25
7	Orientación Plano mm	16±2	22±2	32±2
8	Identificación Plana mm	8±1	11±1	18±1
9	Movilidad cm2/Vs	60-300, ≥2000 o según sea necesario
10	Concentración de Portador cm-3	(3-80)E17 o ≤5E16
11	TTV μm máx.	10	10	10
12	Arco μm máx.	10	10	10
13	Deformación μm máx.	15	15	15
14	Dislocación Densidad cm-2 max	1000	2000	5000
15	Acabado de la superficie	P/G, P/P	P/G, P/P	P/G, P/P
16	Embalaje	Envase de oblea individual sellado en bolsa de aluminio.

fórmula lineal	en como
Peso molecular	189.74
Estructura cristalina	Blenda de zinc
Apariencia	Sólido cristalino gris
Punto de fusion	(936-942)°C
Punto de ebullición	N / A
Densidad a 300K	5,67 g/cm2³
Brecha de energía	0,354 eV
Resistividad intrínseca	0,16 Ω-cm
Número CAS	1303-11-3
Número CE	215-115-3

Arseniuro de indio InAsen Western Minmetals (SC) Corporation se puede suministrar como obleas policristalinas o monocristalinas cortadas, grabadas, pulidas o epi-ready en un tamaño de 2”, 3” y 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diámetro, y conductividad tipo p, tipo n o sin dopar y orientación <111> o <100>.La especificación personalizada es la solución perfecta para nuestros clientes en todo el mundo.