Oblea de silicio CZ

Descripción

Oblea de silicio de cristal único CZ se corta a partir de un lingote de silicio monocristalino extraído mediante el método de crecimiento Czochralski CZ, que es el más utilizado para el crecimiento de cristales de silicio de grandes lingotes cilíndricos utilizados en la industria electrónica para fabricar dispositivos semiconductores.En este proceso, una semilla delgada de silicio cristalino con tolerancias de orientación precisas se introduce en el baño de silicio fundido cuya temperatura se controla con precisión.El cristal semilla se extrae lentamente hacia arriba desde el fundido a una velocidad muy controlada, la solidificación cristalina de los átomos de una fase líquida se produce en una interfaz, el cristal semilla y el crisol giran en direcciones opuestas durante este proceso de extracción, creando un solo gran silicio cristalino con la estructura cristalina perfecta de la semilla.

Gracias al campo magnético aplicado a la extracción de lingotes CZ estándar, el silicio monocristalino Czochralski MCZ inducido por campo magnético tiene una concentración de impurezas comparativamente más baja, un nivel y dislocación de oxígeno más bajos y una variación de resistividad uniforme que funciona bien en componentes y dispositivos electrónicos de alta tecnología. fabricación en industrias electrónicas o fotovoltaicas.

Entrega

La conductividad tipo n y tipo p de la oblea de silicio monocristalino CZ o MCZ en Western Minmetals (SC) Corporation se puede entregar en tamaños de 2, 3, 4, 6, 8 y 12 pulgadas de diámetro (50, 75, 100, 125, 150, 200 y 300mm), orientación <100>, <110>, <111> con acabado superficial lapeado, grabado y pulido en paquete de caja de espuma o cassette con caja de cartón exterior.

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Detalles

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Especificación técnica

Oblea de silicio CZ

Oblea de silicio de cristal único CZ es el material básico en la producción de circuitos integrados, diodos, transistores, componentes discretos, utilizados en todo tipo de equipos electrónicos y dispositivos semiconductores, así como sustrato en procesamiento epitaxial, sustrato de obleas SOI o fabricación de obleas compuestas semiaislantes, especialmente grandes Los diámetros de 200 mm, 250 mm y 300 mm son óptimos para la fabricación de dispositivos ultra altamente integrados.El silicio monocristalino también se utiliza para células solares en grandes cantidades en la industria fotovoltaica, cuya estructura cristalina casi perfecta produce la mayor eficiencia de conversión de luz en electricidad.

No.	Elementos	Especificacion estandar
1	Tamaño	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diámetro mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0.5	150±0,5	200±0.5	300±0.5
3	Conductividad	P o N o sin dopar
4	Orientación	<100>, <110>, <111>
5	Espesor micras	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 o según sea necesario
6	Resistividad Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300, etc.
7	VRR máx.	8%, 10%, 12%
8	Primario Plano/Longitud mm	Como estándar SEMI o según sea necesario
9	Plano secundario/Longitud mm	Como estándar SEMI o según sea necesario
10	TTV μm máx.	10	10	10	10	10	10
11	Arco y deformación μm máx.	30	30	30	30	30	30
12	Acabado de la superficie	Como corte, L/L, P/E, P/P
13	Embalaje	Caja de espuma o casete en el interior, caja de cartón en el exterior.

Símbolo	Si
Número atómico	14
Peso atomico	28.09
Categoría de elemento	Metaloide
Grupo, Período, Bloque	14, 3, P
Estructura cristalina	Diamante
Color	Gris oscuro
Punto de fusion	1414 °C, 1687,15 K
Punto de ebullición	3265 °C, 3538,15 K
Densidad a 300K	2,329 g/cm2³
resistividad intrínseca	3.2E5 Ω-cm
Número CAS	7440-21-3
Número CE	231-130-8

Oblea de silicio monocristalino CZ o MCZLa conductividad tipo n y tipo p en Western Minmetals (SC) Corporation se puede entregar en tamaños de 2, 3, 4, 6, 8 y 12 pulgadas de diámetro (50, 75, 100, 125, 150, 200 y 300 mm), orientación <100>, <110>, <111> con acabado superficial de corte, lapeado, grabado y pulido en paquete de caja de espuma o casete con caja de cartón exterior.