Descripción
Oblea de silicio monocristalino FZ,El silicio de zona flotante (FZ) es un silicio extremadamente puro con una concentración muy baja de oxígeno e impurezas de carbono extraídas por tecnología de refinación de zona flotante vertical.La zona flotante FZ es un método de crecimiento de lingotes de cristal único que es diferente del método CZ en el que el cristal semilla se une debajo del lingote de silicio policristalino, y el borde entre el cristal semilla y el silicio cristalino policristalino se funde mediante el calentamiento por inducción de la bobina de RF para la cristalización única.La bobina de RF y la zona fundida se mueven hacia arriba y, en consecuencia, un solo cristal se solidifica encima del cristal semilla.El silicio de zona flotante está garantizado con una distribución uniforme del dopante, menor variación de resistividad, cantidades restringidas de impurezas, vida útil considerable del portador, objetivo de alta resistividad y silicio de alta pureza.El silicio de zona flotante es una alternativa de alta pureza a los cristales cultivados mediante el proceso Czochralski CZ.Con las características de este método, FZ Single Crystal Silicon es ideal para usar en la fabricación de dispositivos electrónicos, como diodos, tiristores, IGBT, MEMS, diodos, dispositivos de RF y MOSFET de potencia, o como sustrato para detectores ópticos o de partículas de alta resolución. , dispositivos de potencia y sensores, células solares de alta eficiencia, etc.
Entrega
La conductividad tipo N y tipo P de la oblea de silicio monocristalino FZ en Western Minmetals (SC) Corporation se puede entregar en tamaños de 2, 3, 4, 6 y 8 pulgadas (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm y 200 mm) y orientación <100>, <110>, <111> con acabado superficial de corte, lapeado, grabado y pulido en paquete de caja de espuma o casete con caja de cartón exterior.
Especificación técnica
Oblea de silicio monocristalino FZo la oblea de silicio monocristalino FZ de conductividad intrínseca, tipo n y tipo p en Western Minmetals (SC) Corporation se puede entregar en varios tamaños de 2, 3, 4, 6 y 8 pulgadas de diámetro (50 mm, 75 mm, 100 mm , 125 mm, 150 mm y 200 mm) y una amplia gama de espesores desde 279 um hasta 2000 um en orientación <100>, <110>, <111> con acabado superficial de corte, lapeado, grabado y pulido en paquete de caja de espuma o casete Con caja de cartón exterior.
No. | Elementos | Especificacion estandar | ||||
1 | Tamaño | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" |
2 | Diámetro mm | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0.5 | 125±0.5 | 150±0,5 |
3 | Conductividad | NOTARIO PÚBLICO | NOTARIO PÚBLICO | NOTARIO PÚBLICO | NOTARIO PÚBLICO | NOTARIO PÚBLICO |
4 | Orientación | <100>, <110>, <111> | ||||
5 | Espesor micras | 279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 o según sea necesario | ||||
6 | Resistividad Ω-cm | 1-3, 3-5, 40-60, 800-1000, 1000-1400 o según sea necesario | ||||
7 | VRR máx. | 8%, 10%, 12% | ||||
8 | TTV μm máx. | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
9 | Arco/urdimbre μm máx. | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
10 | Acabado de la superficie | Como corte, L/L, P/E, P/P | ||||
11 | Embalaje | Caja de espuma o casete en el interior, caja de cartón en el exterior. |
Símbolo | Si |
Número atómico | 14 |
Peso atomico | 28.09 |
Categoría de elemento | Metaloide |
Grupo, Período, Bloque | 14, 3, P |
Estructura cristalina | Diamante |
Color | Gris oscuro |
Punto de fusion | 1414 °C, 1687,15 K |
Punto de ebullición | 3265 °C, 3538,15 K |
Densidad a 300K | 2,329 g/cm23 |
resistividad intrínseca | 3.2E5 Ω-cm |
Número CAS | 7440-21-3 |
Número CE | 231-130-8 |
Silicio monocristalino FZ, con las características primordiales del método de zona flotante (FZ), es ideal para su uso en la fabricación de dispositivos electrónicos, como diodos, tiristores, IGBT, MEMS, diodos, dispositivos de RF y MOSFET de potencia, o como sustrato para alta resolución. detectores ópticos o de partículas, dispositivos y sensores de potencia, células solares de alta eficiencia, etc.
Consejos de adquisición
Oblea de silicio FZ