wmk_product_02

Antimoniuro de indio InSb

Descripción

IAntimoniuro de indio InSb, un semiconductor de los compuestos cristalinos del grupo III-V con estructura reticular de zinc-blenda, se sintetiza con elementos de indio y antimonio de alta pureza 6N 7N, y se cultiva monocristalino mediante el método VGF o el método LEC de Czochralski encapsulado en líquido a partir de lingotes policristalinos refinados de zona múltiple, que se puede cortar y fabricar en oblea y bloquear después.InSb es un semiconductor de transición directa con una banda prohibida estrecha de 0,17 eV a temperatura ambiente, alta sensibilidad a una longitud de onda de 1 a 5 μm y una movilidad de pasillo ultra alta.El antimonuro de indio InSb tipo n, tipo p y conductividad semiaislante en Western Minmetals (SC) Corporation se puede ofrecer en tamaños de 1″ 2″ 3″ y 4″ (30 mm, 50 mm, 75 mm, 100 mm) de diámetro, orientación < 111> o <100>, y con acabado de superficie de oblea de corte, lapeado, grabado y pulido.También está disponible el objetivo InSb de antimonuro de indio de 50 a 80 mm de diámetro con tipo n no dopado.Mientras tanto, el antimoniuro de indio policristalino InSb (InSb multicristalino) con un tamaño de masa irregular o blanco (15-40) x (40-80) mm y barra redonda de D30-80 mm también se personalizan a pedido para obtener la solución perfecta.

Solicitud

El antimonuro de indio InSb es un sustrato ideal para la producción de muchos componentes y dispositivos de última generación, como una solución avanzada de imágenes térmicas, un sistema FLIR, un elemento Hall y un elemento de efecto de magnetorresistencia, un sistema de guía de misiles guiados por infrarrojos, un sensor fotodetector infrarrojo de alta capacidad de respuesta. , sensor de resistividad rotatorio y magnético de alta precisión, matrices planas focales, y también adaptado como fuente de radiación de terahercios y en telescopio espacial astronómico infrarrojo, etc.


Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

Antimoniuro de indio

InSb

InSb-W1

Sustrato de antimoniuro de indio(sustrato InSb, oblea InSb)  El tipo n o el tipo p en Western Minmetals (SC) Corporation se pueden ofrecer en tamaños de 1" 2" 3" y 4" (30, 50, 75 y 100 mm) de diámetro, orientación <111> o <100>, y con superficie de oblea de acabados lapeados, grabados y pulidos También se puede suministrar barra monocristalina de antimonuro de indio (barra monocristalina InSb) a pedido.

Antimoniuro de indioPpolicristalino (InSb Policristalino o InSb multicristalino) con tamaño de terrones irregulares o en blanco (15-40)x(40-80)mm también se personalizan a pedido para la solución perfecta.

Mientras tanto, también está disponible el objetivo de antimonuro de indio (objetivo InSb) de diámetro 50-80 mm con tipo n no dopado.

No. Elementos Especificacion estandar
1 Sustrato de antimoniuro de indio 2" 3" 4"
2 Diámetro mm 50,5±0,5 76,2±0,5 100±0.5
3 Método de crecimiento LEC LEC LEC
4 Conductividad Tipo P/Zn, dopado con Ge, tipo N/dopado con Te, sin dopar
5 Orientación (100)±0,5°, (111)±0,5°
6 Espesor micras 500±25 600±25 800±25
7 Orientación Plano mm 16±2 22±1 32,5±1
8 Identificación Plana mm 8±1 11±1 18±1
9 Movilidad cm2/Vs 1-7E5 N/sin dopar, 3E5-2E4 N/dopado con Te, 8-0.6E3 o ≤8E13 P/dopado con Ge
10 Concentración de Portador cm-3 6E13-3E14 N/sin dopar, 3E14-2E18 N/dopado con Te, 1E14-9E17 o <1E14 P/dopado con Ge
11 TTV μm máx. 15 15 15
12 Arco μm máx. 15 15 15
13 Deformación μm máx. 20 20 20
14 Dislocación Densidad cm-2 max 50 50 50
15 Acabado de la superficie P/G, P/P P/G, P/P P/G, P/P
16 Embalaje Envase de oblea individual sellado en bolsa de aluminio.

 

No.

Elementos

Especificacion estandar

IAntimonuro de ndio policristalino

Objetivo de antimoniuro de indio

1

Conductividad

sin dopar

sin dopar

2

Portador Concentración cm-3

6E13-3E14

1.9-2.1E16

3

Movilidad cm2/vs

5-7E5

6.9-7.9E4

4

Tamaño

15-40x40-80mm

profundidad (50-80) milímetro

5

Embalaje

En bolsa de aluminio compuesto, caja de cartón exterior

fórmula lineal InSb
Peso molecular 236.58
Estructura cristalina Blenda de zinc
Apariencia Cristales metalizados gris oscuro
Punto de fusion 527 ºC
Punto de ebullición N / A
Densidad a 300K 5,78 g/cm23
Brecha de energía 0,17 eV
resistividad intrínseca 4E(-3) Ω-cm
Número CAS 1312-41-0
Número CE 215-192-3

Antimoniuro de indio InSbla oblea es un sustrato ideal para la producción de muchos componentes y dispositivos de última generación, como una solución avanzada de imágenes térmicas, un sistema FLIR, un elemento de pasillo y un elemento de efecto de magnetorresistencia, un sistema de guía de misiles guiados por infrarrojos, un sensor fotodetector infrarrojo de alta -Sensor de resistividad magnético y giratorio de precisión, matrices planas focales, y también adaptado como fuente de radiación de terahercios y en telescopio espacial astronómico infrarrojo, etc.

InSb-W3

InSb-W

InSb-W4

InP-W4

PC-27

Consejos de adquisición

  • Muestra disponible a pedido
  • Entrega segura de mercancías por mensajería/aire/mar
  • Gestión de calidad COA/COC
  • Embalaje Seguro y Conveniente
  • Embalaje estándar de la ONU disponible a pedido
  • Certificado ISO9001:2015
  • Términos CPT/CIP/FOB/CFR por Incoterms 2010
  • Condiciones de pago flexibles T/TD/PL/C Aceptable
  • Servicios posventa de dimensiones completas
  • Inspección de calidad por instalaciones de última generación
  • Aprobación de las normas Rohs/REACH
  • Acuerdos de confidencialidad NDA
  • Política de minerales de no conflicto
  • Revisión periódica de la gestión ambiental
  • Cumplimiento de la Responsabilidad Social

Antimoniuro de indio InSb


  • Anterior:
  • Próximo:

  • Código QR