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Oblea de silicio FZ NTD

Descripción

Oblea de silicio FZ-NTD, conocida como oblea de silicio dopado con transmutación de neutrones de zona flotante.Se puede obtener silicio libre de oxígeno, de alta pureza y de la más alta resistividad.y Crecimiento de cristales de zona flotante FZ (zona flotante), HEl cristal de silicio FZ de alta resistividad a menudo se dopa mediante el proceso de dopaje por transmutación de neutrones (NTD), en el que la irradiación de neutrones en el silicio de la zona flotante sin dopar hace que los isótopos de silicio queden atrapados con neutrones y luego se descompongan en los dopantes deseados para lograr el objetivo de dopaje.Mediante el ajuste del nivel de radiación de neutrones, la resistividad puede modificarse sin introducir dopantes externos y, por lo tanto, garantizando la pureza del material.Las obleas de silicio FZ NTD (silicio de dopaje de transmutación de neutrones de zona flotante) tienen propiedades técnicas superiores de concentración de dopaje uniforme y distribución de resistividad radial uniforme, niveles de impureza más bajos,y una larga vida útil de los portadores minoritarios.

Entrega

Como proveedor líder en el mercado de silicio NTD para aplicaciones de energía prometedoras, y siguiendo las crecientes demandas de obleas de nivel de calidad superior, la oblea de silicio FZ NTD superioren Western Minmetals (SC) Corporation se puede ofrecer a nuestros clientes en todo el mundo en varios tamaños que van desde 2″, 3″, 4″, 5″ y 6″ de diámetro (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm y 150 mm) y una amplia gama de resistividad 5 a 2000 ohm.cm en orientaciones <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> con acabado de superficie cortado, lapeado, grabado y pulido en paquete de caja de espuma o casete , o como especificación personalizada para la solución perfecta.


Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

Oblea de silicio FZ NTD

FZ NTD Silicon wafer

Como proveedor líder en el mercado de silicio FZ NTD para aplicaciones de energía prometedoras, y siguiendo las crecientes demandas de obleas de nivel superior de calidad, Western Minmetals (SC) Corporation puede ofrecer a nuestros clientes de todo el mundo una oblea de silicio FZ NTD superior en varios tamaños que van desde 2 ″ a 6″ de diámetro (50, 75, 100, 125 y 150 mm) y amplio rango de resistividad de 5 a 2000 ohm-cm en <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> orientaciones con acabado superficial lapeado, grabado y pulido en paquete de caja de espuma o casete, caja de cartón exterior o como especificación personalizada para la solución perfecta.

No. Elementos Especificacion estandar
1 Tamaño 2" 3" 4" 5" 6"
2 Diámetro 50,8±0,3 76,2±0,3 100±0.5 125±0.5 150±0,5
3 Conductividad tipo n tipo n tipo n tipo n tipo n
4 Orientación <100>, <111>, <110>
5 Espesor micras 279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 o según sea necesario
6 Resistividad Ω-cm 36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 o según sea necesario
7 VRR máx. 8%, 10%, 12%
8 TTV μm máx. 10 10 10 10 10
9 Arco/urdimbre μm máx. 30 30 30 30 30
10 Vida útil del portador μs >200, >300, >400 o según sea necesario
11 Acabado de la superficie Tal como se ha cortado, lapeado, pulido
12 Embalaje Caja de espuma en el interior, caja de cartón en el exterior.

Parámetro de material básico

Símbolo Si
Número atómico 14
Peso atomico 28.09
Categoría de elemento Metaloide
Grupo, Período, Bloque 14, 3, P
Estructura cristalina Diamante
Color Gris oscuro
Punto de fusion 1414 °C, 1687,15 K
Punto de ebullición 3265 °C, 3538,15 K
Densidad a 300K 2,329 g/cm23
resistividad intrínseca 3.2E5 Ω-cm
Número CAS 7440-21-3
Número CE 231-130-8

Oblea de silicio FZ-NTDes de suma importancia para aplicaciones en tecnologías de detectores de alta potencia y en dispositivos semiconductores que tienen que trabajar en condiciones extremas o donde se requiere una baja variación de resistividad a través de la oblea, como el tiristor de puerta-apagado GTO, el tiristor de inducción estática SITH, el tiristor gigante transistor GTR, transistor bipolar de puerta aislada IGBT, PIN de diodo HV adicional.La oblea de silicio tipo n FZ NTD también es el principal material funcional para varios convertidores de frecuencia, rectificadores, elementos de control de gran potencia, nuevos dispositivos electrónicos de potencia, dispositivos fotoelectrónicos, rectificador de silicio SR, control de silicio SCR y componentes ópticos como lentes y ventanas. para aplicaciones de terahercios.

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FZ-W1

FZ-W2

PK-26 (2)

pks3

Consejos de adquisición

  • Muestra disponible a pedido
  • Entrega segura de mercancías por mensajería/aire/mar
  • Gestión de calidad COA/COC
  • Embalaje Seguro y Conveniente
  • Embalaje estándar de la ONU disponible a pedido
  • Certificado ISO9001:2015
  • Términos CPT/CIP/FOB/CFR por Incoterms 2010
  • Condiciones de pago flexibles T/TD/PL/C Aceptable
  • Servicios posventa de dimensiones completas
  • Inspección de calidad por instalaciones de última generación
  • Aprobación de las normas Rohs/REACH
  • Acuerdos de confidencialidad NDA
  • Política de minerales de no conflicto
  • Revisión periódica de la gestión ambiental
  • Cumplimiento de la Responsabilidad Social

Oblea de silicio FZ NTD


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