Nitruro de galio GaN

Descripción

Nitruro de galio GaN, CAS 25617-97-4, masa molecular 83,73, estructura cristalina de wurtzita, es un semiconductor de banda prohibida directa compuesto binario del grupo III-V cultivado mediante un método de proceso amonotérmico altamente desarrollado.Caracterizado por una calidad cristalina perfecta, alta conductividad térmica, alta movilidad de electrones, alto campo eléctrico crítico y ancho de banda prohibida, el nitruro de galio GaN tiene características deseables en optoelectrónica y aplicaciones de detección.

Aplicaciones

El nitruro de galio GaN es adecuado para la producción de componentes LED de diodos emisores de luz brillante de alta velocidad y alta capacidad de vanguardia, dispositivos láser y optoelectrónicos como láseres verde y azul, productos de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) y en alta potencia. y la industria de fabricación de dispositivos de alta temperatura.

Entrega

El nitruro de galio GaN en Western Minmetals (SC) Corporation se puede proporcionar en un tamaño de oblea circular de 2 pulgadas o 4 pulgadas (50 mm, 100 mm) y oblea cuadrada de 10 × 10 o 10 × 5 mm.Cualquier tamaño y especificación personalizados son la solución perfecta para nuestros clientes en todo el mundo.

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Especificación técnica

Nitruro de galio GaN

Nitruro de galio GaNen Western Minmetals (SC) Corporation se puede proporcionar en tamaño de oblea circular de 2 pulgadas o 4 pulgadas (50 mm, 100 mm) y oblea cuadrada de 10 × 10 o 10 × 5 mm.Cualquier tamaño y especificación personalizados son la solución perfecta para nuestros clientes en todo el mundo.

No.	Elementos	Especificacion estandar
1	Forma	Circular	Circular	Cuadrado
2	Tamaño	2"	4"	--
3	Diámetro mm	50,8±0,5	100±0.5	--
4	Longitud lateral mm	--	--	10x10 o 10x5
5	Método de crecimiento	HVPE	HVPE	HVPE
6	Orientación	Plano C (0001)	Plano C (0001)	Plano C (0001)
7	Tipo de conductividad	Tipo N/dopado con Si, sin dopar, semiaislante
8	Resistividad Ω-cm	<0,1, <0,05, >1E6
9	Espesor micras	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm máx.	15	15	15
11	Arco μm máx.	20	20	20
12	DAP cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Acabado de la superficie	P/G, P/P	P/G, P/P	P/G, P/P
14	Rugosidad de la superficie	Frontal: ≤0.2nm, Posterior: 0.5-1.5μm o ≤0.2nm
15	Embalaje	Envase de oblea individual sellado en bolsa de aluminio.

fórmula lineal	GaN
Peso molecular	83.73
Estructura cristalina	Blenda de zinc/Wurtzita
Apariencia	Sólido translúcido
Punto de fusion	2500 °C
Punto de ebullición	N / A
Densidad a 300K	6,15 g/cm2³
Brecha de energía	(3.2-3.29) eV a 300K
resistividad intrínseca	>1E8 Ω-cm
Número CAS	25617-97-4
Número CE	247-129-0

Nitruro de galio GaNes adecuado para la producción de componentes LED de diodos emisores de luz brillante de alta velocidad y alta capacidad, dispositivos láser y optoelectrónicos como láseres verde y azul, transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) y productos de alta potencia y alta industria de fabricación de dispositivos de temperatura.