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Arseniuro de indio InAs

Descripción

El cristal de InAs de arseniuro de indio es un semiconductor compuesto del grupo III-V sintetizado por al menos 6N 7N elemento de arsénico e indio puro y cristal único cultivado por VGF o proceso Czochralski encapsulado líquido (LEC), apariencia de color gris, cristales cúbicos con estructura de zinc-blenda , punto de fusión de 942 °C.La brecha de banda de arseniuro de indio es una transición directa idéntica al arseniuro de galio, y el ancho de banda prohibido es 0.45eV (300K).El cristal InAs tiene una alta uniformidad de parámetros eléctricos, red constante, alta movilidad de electrones y baja densidad de defectos.Un cristal cilíndrico de InAs cultivado por VGF o LEC se puede rebanar y fabricar en forma de oblea cortada, grabada, pulida o epi-preparada para el crecimiento epitaxial de MBE o MOCVD.

Aplicaciones

La oblea de cristal de arseniuro de indio es un excelente sustrato para la fabricación de dispositivos Hall y sensores de campo magnético por su suprema movilidad de sala pero banda prohibida de energía estrecha, un material ideal para la construcción de detectores infrarrojos con un rango de longitud de onda de 1–3,8 µm utilizados en aplicaciones de mayor potencia a temperatura ambiente, así como láseres de superred de infrarrojos de longitud de onda media, fabricación de dispositivos LED de infrarrojo medio para su rango de longitud de onda de 2-14 μm.Además, InAs es un sustrato ideal para soportar aún más la estructura de superretícula heterogénea de InGaAs, InAsSb, InAsPSb e InNAsSb o AlGaSb, etc.

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Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

Arseniuro de indio

en como

Indium Arsenide

Oblea de cristal de arseniuro de indioes un excelente sustrato para fabricar dispositivos Hall y sensores de campo magnético por su excelente movilidad de pasillo pero banda prohibida de energía estrecha, un material ideal para la construcción de detectores infrarrojos con un rango de longitud de onda de 1 a 3,8 µm utilizados en aplicaciones de mayor potencia a temperatura ambiente, así como láseres de súper celosía infrarrojos de longitud de onda media, fabricación de dispositivos LED infrarrojos medios para su rango de longitud de onda de 2-14 μm.Además, InAs es un sustrato ideal para soportar aún más la estructura heterogénea de InGaAs, InAsSb, InAsPSb e InNAsSb o AlGaSb, etc.

No. Elementos Especificacion estandar
1 Tamaño 2" 3" 4"
2 Diámetro mm 50,5±0,5 76,2±0,5 100±0.5
3 Método de crecimiento LEC LEC LEC
4 Conductividad Tipo P/dopado con Zn, tipo N/dopado con S, sin dopar
5 Orientación (100)±0,5°, (111)±0,5°
6 Espesor micras 500±25 600±25 800±25
7 Orientación Plano mm 16±2 22±2 32±2
8 Identificación Plana mm 8±1 11±1 18±1
9 Movilidad cm2/Vs 60-300, ≥2000 o según sea necesario
10 Concentración de Portador cm-3 (3-80)E17 o ≤5E16
11 TTV μm máx. 10 10 10
12 Arco μm máx. 10 10 10
13 Deformación μm máx. 15 15 15
14 Dislocación Densidad cm-2 max 1000 2000 5000
15 Acabado de la superficie P/G, P/P P/G, P/P P/G, P/P
16 Embalaje Envase de oblea individual sellado en bolsa de aluminio.
fórmula lineal en como
Peso molecular 189.74
Estructura cristalina Blenda de zinc
Apariencia Sólido cristalino gris
Punto de fusion (936-942)°C
Punto de ebullición N / A
Densidad a 300K 5,67 g/cm23
Brecha de energía 0,354 eV
Resistividad intrínseca 0,16 Ω-cm
Número CAS 1303-11-3
Número CE 215-115-3

 

Arseniuro de indio InAsen Western Minmetals (SC) Corporation se puede suministrar como obleas policristalinas o monocristalinas cortadas, grabadas, pulidas o epi-ready en un tamaño de 2”, 3” y 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diámetro, y conductividad tipo p, tipo n o sin dopar y orientación <111> o <100>.La especificación personalizada es la solución perfecta para nuestros clientes en todo el mundo.

InAs-W

InAs-W2

w3

PK-17 (2)

Consejos de adquisición

  • Muestra disponible a pedido
  • Entrega segura de mercancías por mensajería/aire/mar
  • Gestión de calidad COA/COC
  • Embalaje Seguro y Conveniente
  • Embalaje estándar de la ONU disponible a pedido
  • Certificado ISO9001:2015
  • Términos CPT/CIP/FOB/CFR por Incoterms 2010
  • Condiciones de pago flexibles T/TD/PL/C Aceptable
  • Servicios posventa de dimensiones completas
  • Inspección de calidad por instalaciones de última generación
  • Aprobación de las normas Rohs/REACH
  • Acuerdos de confidencialidad NDA
  • Política de minerales de no conflicto
  • Revisión periódica de la gestión ambiental
  • Cumplimiento de la Responsabilidad Social

Oblea de arseniuro de indio


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