Antimonuro de galio GaSb

Descripción

Antimonuro de galio GaSb, un semiconductor de los compuestos del grupo III-V con estructura reticular de zinc-blenda, se sintetiza con elementos de galio y antimonio de alta pureza 6N 7N, y se convierte en cristal mediante el método LEC a partir de lingotes policristalinos congelados direccionalmente o el método VGF con EPD<1000cm^-3.La oblea de GaSb se puede cortar y fabricar posteriormente a partir de lingote monocristalino con una alta uniformidad de parámetros eléctricos, estructuras reticulares únicas y constantes, y baja densidad de defectos, índice de refracción más alto que la mayoría de los otros compuestos no metálicos.El GaSb se puede procesar con una amplia variedad de orientaciones exactas o incorrectas, concentración alta o baja de dopaje, buen acabado superficial y crecimiento epitaxial de MBE o MOCVD.El sustrato de antimoniuro de galio se utiliza en las aplicaciones fotoópticas y optoelectrónicas más avanzadas, como la fabricación de fotodetectores, detectores de infrarrojos de larga duración, alta sensibilidad y fiabilidad, componentes fotorresistentes, LED y láseres infrarrojos, transistores, células fotovoltaicas térmicas y sistemas termo-fotovoltaicos.

Entrega

El antimonuro de galio GaSb en Western Minmetals (SC) Corporation se puede ofrecer con conductividad semiaislante tipo n, tipo p y sin dopar en tamaños de 2”, 3” y 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diámetro, orientación <111> o <100>, y con acabado de superficie de oblea de acabados listos para epitaxia de alta calidad cortados, grabados, pulidos o de alta calidad.Todos los cortes se trazan individualmente con láser para identificarlos.Mientras tanto, el trozo de GaSb de antimonuro de galio policristalino también se personaliza a pedido para obtener la solución perfecta.

consulta ahora

Detalles

Etiquetas

Especificación técnica

Antimoniuro de galio

GaSb

Antimonuro de galio GaSbEl sustrato se está utilizando en las aplicaciones fotoópticas y optoelectrónicas más avanzadas, como la fabricación de fotodetectores, detectores infrarrojos de larga duración, alta sensibilidad y confiabilidad, componentes fotorresistentes, LED y láseres infrarrojos, transistores, celdas fotovoltaicas térmicas y termorresistentes. -sistemas fotovoltaicos.

	Elementos	Especificacion estandar
1	Tamaño	2"	3"	4"
2	Diámetro mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0.5
3	Método de crecimiento	LEC	LEC	LEC
4	Conductividad	Tipo P/dopado con Zn, sin dopar, tipo N/dopado con Te
5	Orientación	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Espesor micras	500±25	600±25	800±25
7	Orientación Plano mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identificación Plana mm	8±1	11±1	18±1
9	Movilidad cm2/Vs	200-3500 o según sea necesario
10	Concentración de Portador cm-3	(1-100)E17 o según sea necesario
11	TTV μm máx.	15	15	15
12	Arco μm máx.	15	15	15
13	Deformación μm máx.	20	20	20
14	Dislocación Densidad cm-2 max	500	1000	2000
15	Acabado de la superficie	P/G, P/P	P/G, P/P	P/G, P/P
16	Embalaje	Envase de oblea individual sellado en bolsa de aluminio.

fórmula lineal	GaSb
Peso molecular	191.48
Estructura cristalina	Blenda de zinc
Apariencia	Sólido cristalino gris
Punto de fusion	710°C
Punto de ebullición	N / A
Densidad a 300K	5,61 g/cm2³
Brecha de energía	0,726 eV
resistividad intrínseca	1E3 Ω-cm
Número CAS	12064-03-8
Número CE	235-058-8

Antimonuro de galio GaSben Western Minmetals (SC) Corporation se puede ofrecer con conductividad semiaislante tipo n, tipo p y no dopada en tamaños de 2” 3” y 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diámetro, orientación <111> o <100 >, y con acabado de superficie de oblea de acabados listos para epitaxia de alta calidad, cortados, grabados, pulidos o de alta calidad.Todos los cortes se trazan individualmente con láser para identificarlos.Mientras tanto, el trozo de GaSb de antimonuro de galio policristalino también se personaliza a pedido para obtener la solución perfecta.