Descripción
Oblea de silicio FZ-NTD, conocida como oblea de silicio dopado con transmutación de neutrones de zona flotante.Se puede obtener silicio libre de oxígeno, de alta pureza y de la más alta resistividad.y Crecimiento de cristales de zona flotante FZ (zona flotante), HEl cristal de silicio FZ de alta resistividad a menudo se dopa mediante el proceso de dopaje por transmutación de neutrones (NTD), en el que la irradiación de neutrones en el silicio de la zona flotante sin dopar hace que los isótopos de silicio queden atrapados con neutrones y luego se descompongan en los dopantes deseados para lograr el objetivo de dopaje.Mediante el ajuste del nivel de radiación de neutrones, la resistividad puede modificarse sin introducir dopantes externos y, por lo tanto, garantizando la pureza del material.Las obleas de silicio FZ NTD (silicio de dopaje de transmutación de neutrones de zona flotante) tienen propiedades técnicas superiores de concentración de dopaje uniforme y distribución de resistividad radial uniforme, niveles de impureza más bajos,y una larga vida útil de los portadores minoritarios.
Entrega
Como proveedor líder en el mercado de silicio NTD para aplicaciones de energía prometedoras, y siguiendo las crecientes demandas de obleas de nivel de calidad superior, la oblea de silicio FZ NTD superioren Western Minmetals (SC) Corporation se puede ofrecer a nuestros clientes en todo el mundo en varios tamaños que van desde 2″, 3″, 4″, 5″ y 6″ de diámetro (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm y 150 mm) y una amplia gama de resistividad 5 a 2000 ohm.cm en orientaciones <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> con acabado de superficie cortado, lapeado, grabado y pulido en paquete de caja de espuma o casete , o como especificación personalizada para la solución perfecta.
Especificación técnica
Como proveedor líder en el mercado de silicio FZ NTD para aplicaciones de energía prometedoras, y siguiendo las crecientes demandas de obleas de nivel superior de calidad, Western Minmetals (SC) Corporation puede ofrecer a nuestros clientes de todo el mundo una oblea de silicio FZ NTD superior en varios tamaños que van desde 2 ″ a 6″ de diámetro (50, 75, 100, 125 y 150 mm) y amplio rango de resistividad de 5 a 2000 ohm-cm en <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> orientaciones con acabado superficial lapeado, grabado y pulido en paquete de caja de espuma o casete, caja de cartón exterior o como especificación personalizada para la solución perfecta.
No. | Elementos | Especificacion estandar | ||||
1 | Tamaño | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" |
2 | Diámetro | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0.5 | 125±0.5 | 150±0,5 |
3 | Conductividad | tipo n | tipo n | tipo n | tipo n | tipo n |
4 | Orientación | <100>, <111>, <110> | ||||
5 | Espesor micras | 279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 o según sea necesario | ||||
6 | Resistividad Ω-cm | 36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 o según sea necesario | ||||
7 | VRR máx. | 8%, 10%, 12% | ||||
8 | TTV μm máx. | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
9 | Arco/urdimbre μm máx. | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
10 | Vida útil del portador μs | >200, >300, >400 o según sea necesario | ||||
11 | Acabado de la superficie | Tal como se ha cortado, lapeado, pulido | ||||
12 | Embalaje | Caja de espuma en el interior, caja de cartón en el exterior. |
Parámetro de material básico
Símbolo | Si |
Número atómico | 14 |
Peso atomico | 28.09 |
Categoría de elemento | Metaloide |
Grupo, Período, Bloque | 14, 3, P |
Estructura cristalina | Diamante |
Color | Gris oscuro |
Punto de fusion | 1414 °C, 1687,15 K |
Punto de ebullición | 3265 °C, 3538,15 K |
Densidad a 300K | 2,329 g/cm23 |
resistividad intrínseca | 3.2E5 Ω-cm |
Número CAS | 7440-21-3 |
Número CE | 231-130-8 |
Oblea de silicio FZ-NTDes de suma importancia para aplicaciones en tecnologías de detectores de alta potencia y en dispositivos semiconductores que tienen que trabajar en condiciones extremas o donde se requiere una baja variación de resistividad a través de la oblea, como el tiristor de puerta-apagado GTO, el tiristor de inducción estática SITH, el tiristor gigante transistor GTR, transistor bipolar de puerta aislada IGBT, PIN de diodo HV adicional.La oblea de silicio tipo n FZ NTD también es el principal material funcional para varios convertidores de frecuencia, rectificadores, elementos de control de gran potencia, nuevos dispositivos electrónicos de potencia, dispositivos fotoelectrónicos, rectificador de silicio SR, control de silicio SCR y componentes ópticos como lentes y ventanas. para aplicaciones de terahercios.
Consejos de adquisición
Oblea de silicio FZ NTD