Oblea de silicio epitaxial (EPI)

Descripción

Oblea epitaxial de silicioo EPI Silicon Wafer, es una oblea de capa de cristal semiconductor depositada sobre la superficie de cristal pulido de un sustrato de silicio por crecimiento epitaxial.La capa epitaxial puede ser del mismo material que el sustrato por crecimiento epitaxial homogéneo, o una capa exótica con calidad deseable específica por crecimiento epitaxial heterogéneo, que adopta tecnología de crecimiento epitaxial que incluye deposición química de vapor CVD, epitaxia en fase líquida LPE, así como haz molecular epitaxia MBE para lograr la más alta calidad de baja densidad de defectos y buena rugosidad de la superficie.Las obleas epitaxiales de silicio se utilizan principalmente en la producción de dispositivos semiconductores avanzados, circuitos integrados de elementos semiconductores altamente integrados, dispositivos discretos y de potencia, también se utilizan para elementos de diodo y transistor o sustrato para circuitos integrados, como dispositivos de tipo bipolar, MOS y BiCMOS.Además, las obleas de silicio EPI epitaxiales y de película gruesa de múltiples capas se utilizan a menudo en aplicaciones de microelectrónica, fotónica y fotovoltaica.

Entrega

Las obleas de silicio epitaxial o las obleas de silicio EPI de Western Minmetals (SC) Corporation se pueden ofrecer en tamaños de 4, 5 y 6 pulgadas (100 mm, 125 mm, 150 mm de diámetro), con orientación <100>, <111>, resistividad de la capa epidérmica de <1 ohm -cm o hasta 150 ohm-cm, y un espesor de epicapa de <1 um o hasta 150 um, para satisfacer los diversos requisitos de acabado superficial de grabado o tratamiento LTO, embalado en casete con caja de cartón exterior, o como especificación personalizada para la solución perfecta .