Producto | Especificacion estandar | |||
Pureza | Impureza (Informe de prueba de ICP-MS o GDMS, PPM máx. cada uno) | |||
Alta pureza Antimonio | 4N5 | 99.995% | Ag/Cu/Ni/Cd/Mn/Au 1,0 Mg 2,0, Zn/Fe/Bi/Si/As 5,0, Pb/S 10 | Total ≤50 |
5N | 99.999% | Ag/Cu 0,05, Mg/Ni/Bi/Au 0,2, Zn/Fe/Pb/S 0,5, Cd/Si/As 1,0 | Total ≤10 | |
5N5 | 99.9995% | Ag/Cu 0,05, Mg/Ni/Bi/Au 0,2, Zn/Fe/Pb/S 0,5, Cd/Si 1,0, As 0,5 | Total ≤5.0 | |
6N | 99.9999%% | Ag/Cu/Cd/Mn 0,01, Mg/Ni/Zn/Fe/Pb/Au 0,05, Bi 0,02, Si/S 0,1, As 0,3 | Total ≤1.0 | |
7N | 99.99999% | Ag/Cu 0,002, Mg/Ni/Pb 0,005, Zn/Fe/Au/As 0,02, Bi/Au 0,001, Cd 0,003 | Total ≤0.1 | |
7N5 | 99.999995% | Crecimiento de extracción de cristal para la aplicación MBE | Total ≤0.05 | |
Tamaño | Bulto irregular de 3-25 mm 90 % mín., varilla o barra D40XL200 mm o D15XL mm, perdigones de 1-6 mm | |||
Embalaje | 2 kg en botella de polietileno, 20 kg/10 botellas en una caja de cartón. |
Antimonio de alta pureza Sb 5N 6N 7N 7N5calificado por ICP-MS, GDMS en Western Minmetals (SC) Corporation se puede entregar en varias formas de grumos irregulares de 3-25 mm, granalla de 2-6 mm, barra D20-40 mm y cristal 7N5 99.999995% mediante purificación de extracción de cristal para aplicación MBE en 15-25 mm de diámetro.El antimonio de alta pureza se envasa en 2 kg en una botella de polietileno con protección de argón, o en una bolsa de aluminio compuesto con una caja de cartón en el exterior, o según las especificaciones del cliente para obtener la solución perfecta.
El antimonio Sb de alta pureza se utiliza para la preparación de aleaciones de alta pureza, diodos, elementos de refrigeración electrónicos, películas para discos de memoria óptica, convertidores termoelectrónicos, sectores de materiales fotovoltaicos e infrarrojos, así como un dopante en silicio semiconductor tipo n y monocristal de germanio.El antimonio de alta pureza es una fuente importante de metales para el cultivo de cristales de semiconductores compuestos III-V comoindioantimonida InSb,antimoniuro de galio GaSby antimoniuro de bismuto BiSb utilizado para sensores Hall y detectores de infrarrojos, y como fuente de epitaxia para el crecimiento de MBE con diversas formas y formas.