número atómico | 13 |
Peso atomico | 26.98 |
Densidad | 2,70 g/cm23 |
Punto de fusion | 660°C |
Punto de ebullición | 2327°C |
No CAS. | 7429-90-5 |
Código hs | 7601.1090 |
Producto | Especificacion estandar | |||
Pureza | Impureza (Informe de prueba de ICP-MS o GDMS, PPM máx. cada uno) | |||
Alta pureza | 5N | 99.999% | Disponible a pedido | Total ≤10 |
6N | 99.9999% | Si/Mn/Cu 0,1, Na/K/Cr/Fe/Zn/Sn/Se 0,05, Ag/P/S/Ni/Au/Pb/Mg 0,01 | Total ≤1.0 | |
6N5 | 99.99995% | Disponible a pedido | Total ≤0.5 | |
Tamaño | Barra de 1 kg, perdigones o perdigones o gránulos de ≤10 mm | |||
Embalaje | 1 kg en bolsa de aluminio compuesto o botella de plástico, caja de cartón exterior |
Aluminio de alta pureza Al5N 6N 6N5pureza (99,999 %, 99,9999 % y 99,99995 %) en Western Minmetals (SC) Corporation se puede entregar en tamaño de inyección de 1-10 mm, gránulos de 1-10 mm, gránulos D6x20 o D10x40 mm y barra redonda en paquete de botella al vacío o compuesto de almacenamiento al vacío Bolsa interior con caja de cartón exterior, o según especificaciones personalizadas para llegar a la solución perfecta.
Aluminio de alta purezatiene una amplia gama de aplicaciones en las industrias electrónica y de alta tecnología para la preparación de aleaciones de semiconductores de alta pureza, tubos de electrones, aplicación de zafiro, material de contacto de instrumentos de precisión, material de soldadura de transistores, barra de control de reactor atómico y objetivos de pulverización catódica para chips semiconductores y para la producción de pantallas planas.Aluminio de alta pureza es un material ideal para las principales líneas de transmisión de energía, así como una solución de acabado de superficies para mejorar el rendimiento y la vida útil de los componentes eléctricos y térmicos.
El aluminio de alta pureza también se utiliza como material de partida para el crecimiento epitaxial de películas delgadas y como materiales de vaporización al vacío para recubrimientos de películas mediante técnicas MBE (Molecular Beam Epitaxial), Deposición al vacío, PVD y Deposición por haz de electrones.